IPI111N15N3GAKSA1 Preise (USD) [33328Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI111N15N3GAKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1 elektronische Komponenten. IPI111N15N3GAKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI111N15N3GAKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI111N15N3GAKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI111N15N3GAKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
83A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 160µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3230pF @ 75V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
214W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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