Artikelnummer :
IPW60R099C7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1819pF @ 400V
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3