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- Artikelnummer:
- IRF7807D1TR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7807D1TR elektronische Komponenten. IRF7807D1TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7807D1TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7807D1TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7807D1TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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