IXTX4N300P3HV Preise (USD) [1797Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTX4N300P3HV
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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IXTX4N300P3HV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTX4N300P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
3000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
139nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3680pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
960W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247PLUS-HV
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
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