DMN2040UVT-7 Preise (USD) [875503Stück Lager]
- 1 pcs$0.04225
- Artikelnummer:
- DMN2040UVT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN2040UVT-7 elektronische Komponenten. DMN2040UVT-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN2040UVT-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN2040UVT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN2040UVT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
667pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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