FDD6N25TM Preise (USD) [354099Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD6N25TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD6N25TM elektronische Komponenten. FDD6N25TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD6N25TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD6N25TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD6N25TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Serie :
UniFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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