Infineon Technologies - IPB180N03S4L01ATMA1

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Artikelnummer:
IPB180N03S4L01ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N03S4L01ATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB180N03S4L01ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 140µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 239nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 188W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-7-3
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)