DMTH6005LPS-13 Preise (USD) [134368Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMTH6005LPS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI506.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMTH6005LPS-13 elektronische Komponenten. DMTH6005LPS-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMTH6005LPS-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMTH6005LPS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH6005LPS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI506
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.6A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2962pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.2W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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