R6004JND3TL1 Preise (USD) [127409Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- R6004JND3TL1
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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R6004JND3TL1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
R6004JND3TL1
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
7V @ 450µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 15V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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