FQPF47P06YDTU Preise (USD) [46408Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQPF47P06YDTU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF47P06YDTU elektronische Komponenten. FQPF47P06YDTU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF47P06YDTU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQPF47P06YDTU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQPF47P06YDTU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
62W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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