Artikelnummer :
IPC028N03L3X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil