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- Artikelnummer:
- IRFH7190TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 15A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFH7190TRPBF elektronische Komponenten. IRFH7190TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFH7190TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFH7190TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH7190TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 15A
Serie :
FASTIRFET™, HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Ta), 82A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1685pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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