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- Artikelnummer:
- HP8S36TB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 30V NCHNCH MIDDLE POWER MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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HP8S36TB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HP8S36TB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
30V NCHNCH MIDDLE POWER MOSFET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6100pF @ 15V
Leistung max :
29W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-HSOP
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