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- Artikelnummer:
- IRFH5110TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH5110TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH5110TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3152pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 114W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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