APT28M120L Preise (USD) [4156Stück Lager]
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- 100 pcs$9.05914
- Artikelnummer:
- APT28M120L
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 29A TO264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT28M120L elektronische Komponenten. APT28M120L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT28M120L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT28M120L Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT28M120L
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9670pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1135W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-264 [L]
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
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