IPA037N08N3GXKSA1 Preise (USD) [23496Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPA037N08N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPA037N08N3GXKSA1 elektronische Komponenten. IPA037N08N3GXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPA037N08N3GXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPA037N08N3GXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPA037N08N3GXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 155µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8110pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-FP
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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