DMN1150UFB-7B Preise (USD) [1272399Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1150UFB-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN1150UFB-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1150UFB-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.41A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
106pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall :
3-UFDFN
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