DMT10H010LK3-13 Preise (USD) [153564Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT10H010LK3-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMT10H010LK3-13 elektronische Komponenten. DMT10H010LK3-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMT10H010LK3-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMT10H010LK3-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT10H010LK3-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
68.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2592pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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