Artikelnummer :
FCP130N60
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3590pF @ 380V
Verlustleistung (max.) :
278W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3