FDMC8010DC Preise (USD) [167618Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMC8010DC
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMC8010DC elektronische Komponenten. FDMC8010DC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMC8010DC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMC8010DC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMC8010DC
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 30V 157A 8-PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
37A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.28 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
94nC @ 15V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7080pF @ 15V
FET-Funktion :
Standard
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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