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- Artikelnummer:
- FDS4435BZ-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FDS4435BZ-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS4435BZ-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1845pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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