IPN50R650CEATMA1 Preise (USD) [301457Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPN50R650CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1 elektronische Komponenten. IPN50R650CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPN50R650CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPN50R650CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPN50R650CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
342pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
SOT-223-3
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