Infineon Technologies - BSS806NH6327XTSA1

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Artikelnummer:
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS806NH6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSS806NH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 11µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 529pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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