DMN62D1LFDQ-13 Preise (USD) [926229Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN62D1LFDQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- 2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN62D1LFDQ-13 elektronische Komponenten. DMN62D1LFDQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN62D1LFDQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN62D1LFDQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN62D1LFDQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 1
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.55nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
36pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN1212-3
Paket / fall :
3-XDFN
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