Diodes Incorporated - DMP1022UFDE-7

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Artikelnummer:
DMP1022UFDE-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1022UFDE-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMP1022UFDE-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42.6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2953pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 660mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

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