DMG7401SFGQ-13 Preise (USD) [317107Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG7401SFGQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMG7401SFGQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG7401SFGQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2987pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
940mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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