IPC300N15N3RX1SA2 Preise (USD) [27661Stück Lager]
- 1 pcs$2.54725
- Artikelnummer:
- IPC300N15N3RX1SA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC300N15N3RX1SA2 elektronische Komponenten. IPC300N15N3RX1SA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC300N15N3RX1SA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC300N15N3RX1SA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC300N15N3RX1SA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Paket / fall :
Die
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