Infineon Technologies - IPS03N03LB G

KEY Part #: K6413431

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    Artikelnummer:
    IPS03N03LB G
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 90A IPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPS03N03LB G elektronische Komponenten. IPS03N03LB G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPS03N03LB G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPS03N03LB G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IPS03N03LB G
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
    Serie : OptiMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 60A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 70µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 115W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO251-3
    Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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