IPB017N10N5ATMA1 Preise (USD) [25373Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB017N10N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB017N10N5ATMA1 elektronische Komponenten. IPB017N10N5ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB017N10N5ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB017N10N5ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 279µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15600pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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