SIB452DK-T1-GE3 Preise (USD) [275873Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIB452DK-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SIB452DK-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIB452DK-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
135pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / fall :
PowerPAK® SC-75-6L
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