IPB180N03S4LH0ATMA1 Preise (USD) [47632Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB180N03S4LH0ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1 elektronische Komponenten. IPB180N03S4LH0ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB180N03S4LH0ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB180N03S4LH0ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB180N03S4LH0ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7-3
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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