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  5. CXDM3069N TR

Central Semiconductor Corp - CXDM3069N TR

KEY Part #: K6399777

CXDM3069N TR Preise (USD) [243544Stück Lager]

  • 1 pcs$0.16789
  • 1,000 pcs$0.16706
Artikelnummer:
CXDM3069N TR
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Central Semiconductor Corp CXDM3069N TR elektronische Komponenten. CXDM3069N TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CXDM3069N TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CXDM3069N TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : CXDM3069N TR
Hersteller : Central Semiconductor Corp
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-89
Paket / fall : TO-243AA
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