IRFR9N20DPBF Preise (USD) [13617Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFR9N20DPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFR9N20DPBF elektronische Komponenten. IRFR9N20DPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFR9N20DPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFR9N20DPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFR9N20DPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
86W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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