IPB80N06S4L07ATMA2 Preise (USD) [137238Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB80N06S4L07ATMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2 elektronische Komponenten. IPB80N06S4L07ATMA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB80N06S4L07ATMA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB80N06S4L07ATMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5680pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
79W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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