DMN66D0LW-7 Preise (USD) [14058Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN66D0LW-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN66D0LW-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN66D0LW-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 115mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-323
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
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