ON Semiconductor - NTR2101PT1G

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Artikelnummer:
NTR2101PT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR2101PT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTR2101PT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1173pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 960mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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