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- Artikelnummer:
- IPD350N06LGBUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 29A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD350N06LGBUMA1 elektronische Komponenten. IPD350N06LGBUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD350N06LGBUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD350N06LGBUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD350N06LGBUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 28µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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