Vishay Siliconix - SUD35N10-26P-GE3

KEY Part #: K6393692

SUD35N10-26P-GE3 Preise (USD) [84291Stück Lager]

  • 1 pcs$0.46388
  • 2,000 pcs$0.43461

Artikelnummer:
SUD35N10-26P-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3 elektronische Komponenten. SUD35N10-26P-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SUD35N10-26P-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD35N10-26P-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SUD35N10-26P-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63