IPA030N10N3GXKSA1 Preise (USD) [25396Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPA030N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPA030N10N3GXKSA1 elektronische Komponenten. IPA030N10N3GXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPA030N10N3GXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPA030N10N3GXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPA030N10N3GXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 79A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14800pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-FP
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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