TPN1110ENH,L1Q Preise (USD) [151133Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPN1110ENH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
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TPN1110ENH,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPN1110ENH,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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