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- Artikelnummer:
- IRF7326D2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7326D2PBF elektronische Komponenten. IRF7326D2PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7326D2PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7326D2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7326D2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 25V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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