DMT6008LFG-13 Preise (USD) [219925Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT6008LFG-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMT6008LFG-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT6008LFG-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2713pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.2W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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