IXFT86N30T Preise (USD) [15516Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT86N30T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 86A TO268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT86N30T elektronische Komponenten. IXFT86N30T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT86N30T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT86N30T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT86N30T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
Serie :
HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
860W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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