SIHJ10N60E-T1-GE3 Preise (USD) [28253Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHJ10N60E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SIHJ10N60E-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHJ10N60E-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Serie :
E
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
784pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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