Vishay Siliconix - IRFB17N60K

KEY Part #: K6413325

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    Artikelnummer:
    IRFB17N60K
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFB17N60K elektronische Komponenten. IRFB17N60K kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFB17N60K haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFB17N60K Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRFB17N60K
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 99nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 340W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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