STD3NK50Z-1 Preise (USD) [393608Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STD3NK50Z-1
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STD3NK50Z-1 elektronische Komponenten. STD3NK50Z-1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STD3NK50Z-1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STD3NK50Z-1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STD3NK50Z-1
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
Serie :
SuperMESH™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
45W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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