SISA26DN-T1-GE3 Preise (USD) [276574Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SISA26DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SISA26DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SISA26DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SISA26DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SISA26DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SISA26DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (Max) :
+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2247pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
39W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8S
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