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- Artikelnummer:
- IRFD110PBF
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRFD110PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFD110PBF
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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