Artikelnummer :
SIR422DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1785pF @ 20V
Verlustleistung (max.) :
5W (Ta), 34.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8