DMT10H015LCG-7 Preise (USD) [199065Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT10H015LCG-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMT10H015LCG-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT10H015LCG-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1871pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
V-DFN3333-8
Paket / fall :
8-VDFN Exposed Pad
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